相变化记忆体装置以及制造该装置之方法

摘要

本发明提供一种相变化记忆体装置及一种制造该装置之方法。在一基板上提供一具有一第一表面之第一电极。一具有一第二表面之第二电极位于该基板上，该第二表面位于一不同于该第一表面之水平面处。该第二电极可与该第一电极间隔开。可形成一对应于该第一电极之第三电极。可形成一对应于该第二电极之第四电极。可在该第一表面与该第三电极之间插入一第一相变化图案。可在该第二表面与该第四电极之间插入一第二相变化图案。该第一相变化图案及该第二相变化图案之上表面可位于同一平面上。