| 发明名称 | 制造等离子体反应器部件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明在此提供一种制造等离子体反应器部件的方法，该部件由硅制成。该方法包括生长硅样品，机械加工该硅样品以形成部件，和通过顺序地暴露该部件于一种或多种气体而退火该部件。在硅生长和后机械加工退火期间设计工艺条件以提供尤其适合用于腐蚀环境的硅部件。 | ||
| 申请公布号 | CN101276733A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810082780.3 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 埃尔米拉·赖亚博瓦;杰·袁;珍妮弗·孙 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1、一种制造硅部件的方法，包括：(a)使用循环硅生长工艺提供硅样品，包括：(a1)在第一惰性气体环境中开始硅生长，持续第一时间段；(a2)在第二还原气体环境中继续硅生长，持续第二时间段；(a3)在第二惰性气体环境中继续硅生长，持续第三时间段；以及(a4)重复(a2)和(a3)进行足够数目的循环直到对于该硅样品获得所需的特性；(b)机械加工该硅样品以形成部件；以及(c)退火该部件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||