一种ZnO量子点的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO量子点的制备方法。它首先对衬底进行表面处理，然后在去离子水中用提拉法形成单层自组装的纳米球，作为制备ZnO量子点所用的模板；接着在25～100℃之间、真空度为10^－4～10^－6Torr的条件下，通过电子束蒸发沉积一层5nm～50nm厚的ZnO薄膜；最后在甲苯中浸泡并超声振动2～5min把模板中的纳米球去掉即可。本发明制备的ZnO量子点生长面积大、排列整齐且尺寸、分布均匀。该制备方法简便经济、可高效的制备出较大范围的有序的ZnO量子点。ZnO氧化物半导体带隙宽、直接能带跃迁并且激子束缚能大，再加上量子点的量子限域效应，使ZnO量子点材料成为高效量子点激光器乃至纳米激光器的希望。

主权项

1.一种ZnO量子点的制备方法，其特征在于：首先在表面处理过的衬底上用提拉法形成单层自组装的纳米球，作为制备ZnO量子点所用的模板；然后在室温～100℃、真空度为10-4～10-6Torr的条件下，通过电子束蒸发沉积一层5nm～50nm厚的ZnO薄膜；最后在甲苯中浸泡并超声振动2～5min把模板中的纳米球去掉即可。