| 发明名称 | 多坩埚温梯法晶体生长系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多坩埚温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；发热体位于炉膛1/4-1/2高度处，炉膛为长方体，可以同时容纳多坩埚晶体生长。本发明能保证掺杂浓度，并且能够均匀掺杂，可广泛应用于晶体生长领域。 | ||
| 申请公布号 | CN100422393C | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200610148319.4 | 申请日期 | 2006.12.29 |
| 申请人 | 嘉兴学院 | 发明人 | 万尤宝 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01) | 主分类号 | C30B11/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 季良赳;杨润周 |
| 主权项 | 1. 一种多坩埚温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、炉膛和发热体；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，其特征在于：所述的耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；所述的发热体位于炉膛1/4-1/2高度处。 | ||
| 地址 | 314001浙江省嘉兴市越秀南路56号 | ||