薄膜晶体管阵列的制造方法与装置

摘要

一种薄膜晶体管阵列的制造方法与装置，适用于薄膜晶体管阵列制程中形成导体层的步骤，以消除静电破坏的效应，此方法采用两阶段式的光掩模工艺。首先利用第一阶段光掩模工艺，将形成于一基板上的导体层图案化，以形成一第一图案，这个第一图案包括于该基板边缘处形成的一尖端放电机制、数个独立电路以及连接前述各个独立电路的连结部位，以使同一层导体层连接成等电位，并可于基板边缘处制作尖端放电机制。之后，等到下一层导体层建构前，再利用第二阶段光掩模工艺，将第一图案连结部位全部去除，以形成一第二图案，而第二图案中仅保留独立电路。

主权项

1. 一种薄膜晶体管阵列的制造方法，包括：于一基板上形成一第一导体层；图案化该第一导体层，以形成多个第一独立电路以及连接该些第一独立电路的多个第一连结部位；去除该第一导体层中的该些第一连结部位；于该第一导体层上形成一第一绝缘层；于该第一绝缘层上形成一第二导体层；于该基板上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层具有多个接触窗口；以及于该第二绝缘层上形成多个像素电极，以使得该些像素电极由该些接触窗口与该第二导体层电性相连；所述薄膜晶体管阵列的制造方法还包括于该基板边缘处形成一尖端放电机制。