发明名称 一种溅射镀膜装置和方法
摘要 本发明公开了一种溅射镀膜装置和方法,该装置包括真空室、溅射系统、真空泵,所述真空泵包括气体捕集式真空泵和非气体捕集式真空泵,所述气体捕集式真空泵直接设置在真空室内,或设置在一与真空室相连的隔腔中,该隔腔与真空室之间设置有超高真空阀门。本发明所提供的溅射方法,在溅射装置中加入了吸气剂泵,将工作气体进一步纯化,大大降低了活性气体对薄膜材料的污染,提高了薄膜的生长质量,特别是对于一些活性较强的材料有很明显的效果。另外由于不需要持续输入工作气体,也大大节省了工作气体的用量,节约了成本。
申请公布号 CN101270466A 申请公布日期 2008.09.24
申请号 CN200810106312.5 申请日期 2008.05.12
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 金贻荣;张殿琳;宋小会
分类号 C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人 尹振启
主权项 1.一种溅射镀膜装置,其特征在于,包括真空室、溅射系统、真空泵,所述真空泵包括气体捕集式真空泵和非气体捕集式真空泵,所述气体捕集式真空泵直接设置在真空室内,或设置在一与真空室相连的隔腔中,该隔腔与真空室之间设置有超高真空阀门。
地址 100190北京市海淀区中关村南三街8号