发明名称 |
一种溅射镀膜装置和方法 |
摘要 |
本发明公开了一种溅射镀膜装置和方法,该装置包括真空室、溅射系统、真空泵,所述真空泵包括气体捕集式真空泵和非气体捕集式真空泵,所述气体捕集式真空泵直接设置在真空室内,或设置在一与真空室相连的隔腔中,该隔腔与真空室之间设置有超高真空阀门。本发明所提供的溅射方法,在溅射装置中加入了吸气剂泵,将工作气体进一步纯化,大大降低了活性气体对薄膜材料的污染,提高了薄膜的生长质量,特别是对于一些活性较强的材料有很明显的效果。另外由于不需要持续输入工作气体,也大大节省了工作气体的用量,节约了成本。 |
申请公布号 |
CN101270466A |
申请公布日期 |
2008.09.24 |
申请号 |
CN200810106312.5 |
申请日期 |
2008.05.12 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
金贻荣;张殿琳;宋小会 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01) |
代理机构 |
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
尹振启 |
主权项 |
1.一种溅射镀膜装置,其特征在于,包括真空室、溅射系统、真空泵,所述真空泵包括气体捕集式真空泵和非气体捕集式真空泵,所述气体捕集式真空泵直接设置在真空室内,或设置在一与真空室相连的隔腔中,该隔腔与真空室之间设置有超高真空阀门。 |
地址 |
100190北京市海淀区中关村南三街8号 |