METHOD AND DEVICE FOR GENERATING A POROUS LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
<p>Mit der vorliegenden Erfindung werden ein Verfahren und eine Vorrichtung (10) vorgeschlagen, womit die Oberfläche eines schwach p-dotierten Halbleiterträgers (20) unter der Randbedingung eines beidseitigen elektrolytischen Kontakts porös geätzt werden kann, ohne dass die Rückseite dieses Halbleiterträgers (20) mit einem ohmschen Kontakt versehen werden muss.</p>
申请公布号
WO2008110401(A1)
申请公布日期
2008.09.18
申请号
WO2008EP50940
申请日期
2008.01.28
申请人
ROBERT BOSCH GMBH;KRAMER, TORSTEN;BOEHRINGER, MATTHIAS;ARTMANN, HANS;ARMBRUSTER, SIMON;FEYH, ANDO
