| 主权项 |
1.一种进入及离开控制电路,用以使半导体记忆体元件之内建式自动测试元件致能,该控制电路包含:致能讯号产生元件;过电压侦测装置与半导体记忆体元件端点相连结,上述过电压侦测元件使用第一个讯号至上述致能讯号产生元件,以回应上述端点之过电压,而上述第一个讯号使上述致能讯号进入待命模式操作;以及当过电压使用上述端点由第一状态转变至第二状态时,控制讯号侦测元件使用第二个讯号至上述之致能讯号产生元件,上述第二讯号使上述致能讯号产生器在上述致能讯号产生元件在上述待命模式中时产生致能讯号。2.如申请专利范围第1项的进入及离开控制电路,其中致能讯号会在上述控制讯号由上述第二状态转变至上述第一状态时被移除。3.如申请专利范围第1项的进入及离开控制电路,其中过电压侦测元件提供一部份上述第一个讯号至电源上昇程序。4.如申请专利范围第3项的进入及离开控制电路,其中第三个讯号被上述电源上昇程序所产生,而上述第三个讯号及上述第一个讯号使上述致能装置产生元件进入待命模式。5.如申请专利范围第1项的进入及离开控制电路,其中致能讯号产生元件包含双稳多谐振荡器。6.一种产生用于半导体记忆体内建式自动测试元件之致能讯号之方法,上述方法包含下列步骤:当上述记忆体的第一个端点测得过电压讯号时,产生第一个讯号;讯号产生元件转为待命模式以回应上述第一个讯号;由上述讯号产生元件产生致能讯号以回应使用控制讯号至上述记忆体元件之第二端点,上述致能讯号并会激发内建式自动测试元件。7.如申请专利范围第6项的方法,其中更包含当上述控制讯号消除时,致能讯号之停止步骤。8.如申请专利范围第6项的方法,其中产生第一个讯号的步骤包含上述记忆体在电源上昇程序时产生第一个讯号的步骤。9.如申请专利范围第6项的方法,其中更包括了上述记忆体元件电源上昇时产生第三个讯号的程序,上述第三个讯号及上述第一个讯号使得上述致能讯号产生元件成为待命模式。10.一种与中央处理单元同时使用的半导体记忆体元件,该记忆体元件包含:储存讯号的储存元阵列;回应从上述使用讯号的中央处理单元至上述控制阵列间位址及控制讯号的位址与控制讯号元件;交换资料的讯号暂存器与上述中央处理单元一同交换讯号至上述阵列;为了测试上述记忆体元件的内建式自动测试元件,上述内建式自动测试元件由致能讯号所激发,并且;进入及离开控制元件,上述进入及离开控制元件为回应记忆体元件第一端点所使用的过电压讯号而进入待命模式,上述进入及离开控制元件上述待命模式里会产生上述讯号以回应选择控制讯号。11.如申请专利范围第10项的半导体记忆体元件,其中记忆体元件有作业模式、上述进入及离开电路待命模式一致的待命模式,及上述致能讯号产生时的测试模式。12.如申请专利范围第10项的半导体记忆体元件,其中进入及离开控制元件在回应上述记忆体元件电源上昇时,会进入上述的待命模式。13.如申请专利范围第10项的半导体记忆体元件,其中第三个讯号由上述记忆体元件于电源上昇模式中产生,上述第三个讯号及上述过电压造成上述进入及离开控制电路进入上述之待命模式。14.如申请专利范围第12项的半导体记忆体元件,其中上述记忆体元件大多数的端点在作业模式下能够被一般的作业方法所使用,并且能在测试模式下提供控制及位址讯号。图式简单说明:第一图为记忆体单元进入及离开内建式自动测试模式操作状态图说明。第二图为根据本发明的进入及离开控制电路与主记忆体电路结合在一起的概要电路图。第三图的时序图内表示了第二图中进入及离开控制电路内选择间的关系。 |
