| 发明名称 | 一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法，本发明主要采用传统的陶瓷烧结技术将10～20％摩尔的氧化铪掺杂到氧化铈中，在1400℃下高温烧结，得到相应的氧化铪掺杂氧化铈陶瓷靶材，随后采用激光脉冲沉积技术，在经过标准RCA清洗过程后的n型Si片上沉积氧化铈掺杂氧化铪薄膜。本发明制备的氧化铈掺杂氧化铪介电陶瓷薄膜为单晶薄膜，与衬底材料的取向关系为(111)<SUB>HDC</SUB>//(001)<SUB>Si</SUB>和[110]<SUB>HDC</SUB>//[110]<SUB>Si</SUB>；并且具有非常小的漏电流密度，适于做高κ栅介质使用。 | ||
| 申请公布号 | CN101265125A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810104411.X | 申请日期 | 2008.04.18 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 杜军;王毅;杨志民;毛昌辉 |
| 分类号 | C04B41/50(2006.01);C23C14/34(2006.01) | 主分类号 | C04B41/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡长远 |
| 主权项 | 1、一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料，其特征在于在单晶n型Si片上沉积氧化铪掺杂氧化铈单晶薄膜，所述的氧化铪掺杂氧化铈是指在氧化铈中掺杂有10～20％摩尔比的氧化铪。 | ||
| 地址 | 100088北京市西城区新街口外大街2号 | ||