发明名称 用于制造液晶显示器的方法
摘要 在有源矩阵型液晶显示器中的薄膜晶体管的源极和漏极之间的间隙中形成半导体膜。通过栅绝缘膜在所述半导体膜上形成用于栅极的金属膜。在金属膜上形成光致抗蚀剂膜,光致抗蚀剂膜具有在包括间隙的区域中的厚部分和在接触孔形成区中的开口部分。通过使用有机材料膜作为掩模在栅绝缘膜中形成接触孔。在包括间隙的区域中残留有机材料膜。通过使用残留的有机材料膜作为掩模,通过刻蚀第一金属膜在包括间隙的区域上形成栅极。在除了接触孔形成区之外的反射区中形成具有凸起和凹陷的有机材料膜。在具有凸起和凹陷的有机材料膜上形成反射电极。
申请公布号 CN100419560C 申请公布日期 2008.09.17
申请号 CN200480015385.3 申请日期 2004.06.03
申请人 统宝香港控股有限公司 发明人 田中秀夫
分类号 G02F1/1368(2006.01) 主分类号 G02F1/1368(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王岳;梁永
主权项 1. 一种用于制造液晶显示器的方法,包括步骤:在有源矩阵型液晶显示器中的薄膜晶体管的源极和漏极之间的间隙中形成半导体膜,并通过栅绝缘膜在半导体膜上形成用于栅极的第一金属膜;在第一金属膜上形成第一有机材料膜,该第一有机材料膜具有在包括间隙的区域中的厚部分和在接触孔形成区中的开口部分,该开口部分是在形成第一金属膜之后形成的;通过使用第一有机材料膜作为掩模在栅绝缘膜中形成接触孔,同时在包括间隙的区域中残留第一有机材料膜;通过使用残留的第一有机材料膜作为掩模,通过刻蚀第一金属膜在包括间隙的区域上形成栅极;和在除了接触孔形成区之外的反射区中形成具有凸起和凹陷的第二有机材料膜,并在具有凸起和凹陷的第二有机材料膜上形成反射电极。
地址 香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼