具有铜布线的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有铜布线的半导体器件及其制造方法。在基础衬底上方形成由绝缘材料制成的第一层间绝缘膜。贯穿该第一层间绝缘膜形成通孔。在该通孔中填充由铜或主要含有铜的合金制成的导电塞。在该第一层间绝缘膜上方形成由绝缘材料制成的第二层间绝缘膜。在该第二层间绝缘膜中形成布线槽，该布线槽经过该导电塞并露出该导电塞的上表面。在该布线槽中填充由铜或主要含有铜的合金制成的布线。其中由铜或者主要含有铜的合金构成的该导电塞和该布线包括碳、氧、氮、硫及氯。该导电塞中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度低于该布线中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：基础衬底；第一层间绝缘膜，形成在该基础衬底上方并由绝缘材料制成；通孔，贯穿该第一层间绝缘膜而形成；导电塞，填充在该通孔中并由铜或主要含有铜的合金制成；第二层间绝缘膜，形成在该第一层间绝缘膜上方并由绝缘材料制成；布线槽，形成在该第二层间绝缘膜中，经过该导电塞并露出该导电塞的上表面；以及布线，填充在该布线槽中并由铜或主要含有铜的合金制成，其中由铜或者主要含有铜的合金构成的该导电塞和该布线包括碳、氧、氮、硫及氯；其中，该导电塞中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度低于该布线中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度。