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发明名称
半导体记忆装置
摘要
本发明之半导体记忆装置具有自共通连接之输入输出垫片及控制垫片输入控制信号之复数个半导体晶片。半导体晶片包括:自身位址记忆部,其记忆表示自身位址之自身晶片位址;判定部,其将经由上述输入输出垫片自外部输入之选择位址与上述自身晶片位址加以比较而进行一致判定;及控制信号设定部,其根据该一致判定,将输入至自身之半导体晶片之上述控制信号设定为有效或无效。
申请公布号
TW200837753
申请公布日期
2008.09.16
申请号
TW096133730
申请日期
2007.09.10
申请人
东芝股份有限公司
发明人
神田和重
分类号
G11C11/4063(2006.01);G11C5/12(2006.01);G11C29/12(2006.01)
主分类号
G11C11/4063(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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