发明名称 薄膜电晶体之制造方法
摘要 一种薄膜电晶体之制造方法,薄膜电晶体含有通道层11,通道层11具有氧化铟,所述方法包括形成氧化铟膜作为通道层,以及使所形成的氧化铟膜在氧化氛围中受到退火。
申请公布号 TW200837959 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096141623 申请日期 2007.11.05
申请人 佳能股份有限公司 发明人 板垣奈穗;岩崎达哉;田透
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/1368(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本