发明名称 影像感测装置、其形成方法及半导体装置
摘要 本发明提供一种影像感测装置,包括:一半导体基底,其具有一第一型导电性;一半导体层,其具有该第一型导电性,该半导体层在该半导体基底上方;以及复数个画素,在该半导体层中;其中该半导体层包括一第一深井区及一第二深井区,该第一深井区具有该第一型导电性,该第一深井区在该些画素下方,该第二深井区具有一第二型导电性,该第二型导电性与该第一型导电性不同,且该第二深井区在该第一深井区下方。
申请公布号 TW200837939 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096118495 申请日期 2007.05.24
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 刘汉琦;张中玮;伍寿国;翁烔城;柯钧耀
分类号 H01L27/146(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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