以半导体制程形成辐射热测定仪元件的结构及方法

摘要

本发明揭露一种以半导体制程形成辐射热测定仪元件的结构及方法。本发明利用简单的制程步骤，以及温度低于摄氏400度的互补式金氧半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）制程相容技术来实现具有高积集因子（Fill Factor）、高良率以及低制作成本的室温辐射热测定仪阵列，同时兼顾元件的整体热特性表现，以及元件结构的完整性。