发明名称 Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
摘要 The present invention relates to a method of cleaning and drying a semiconductor structure in a modified conventional gas etch/rinse or dryer vessel.
申请公布号 US7422639(B2) 申请公布日期 2008.09.09
申请号 US20050188048 申请日期 2005.07.22
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 YATES DONALD L.
分类号 B08B3/04;B08B3/00;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306 主分类号 B08B3/04
代理机构 代理人
主权项
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