| 发明名称 | 制造外延生长层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造外延生长层(6)的方法。该方法的显著之处在于其包括下列步骤：a)在支撑衬底(1)中注入原子种类以在其中划定弱区(12)，该弱区(12)将薄支撑层(13)从所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)通过直接在所述薄支撑层(13)上或在转移到其上的插入层(5、23、31、32)上进行的外延生长来生长所述外延层(6)；c)通过谨慎地供应外能而沿弱区(12)将所述剩余部分(11)从薄支撑层(13)分离。本发明适用于光学、光电子学或电子学领域。 | ||
| 申请公布号 | CN100415947C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200480021387.3 | 申请日期 | 2004.07.07 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | B·富尔;L·迪乔奇欧 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);H01L21/762(2006.01);C30B33/00(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1. 一种制造用于光学、光电子学或电子学领域的外延生长层(6，6’)的方法，其特征在于包括下列步骤：i)在被称作“支撑衬底”的第一衬底(1，1’)中注入原子种类以便在其中划定弱区(12，12’)，所述弱区(12，12’)从所述衬底的剩余部分(11，11’)划分开被称作“薄支撑层”的薄层(13，13’)；ii)通过直接在所述薄支撑层(13，13’)上进行的外延来生长所述外延生长层(6，6’)；iii)通过谨慎地供应外能而沿所述支撑衬底的弱区(12，12’)将支撑衬底(1，1’)的剩余部分(11，11’)从薄支撑层(13，13’)分离；iv)除去所述薄支撑层(13，13’)以获得外延生长层(6，6’)。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||