| 发明名称 | 电熔丝的制造方法和半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电熔丝的制造方法和半导体结构。提供一种结构的制造方法，该方法包括提供一种结构。该结构包括(a)衬底层，(b)在衬底层中的第一熔丝电极，以及(c)在衬底层和第一熔丝电极上的熔丝电介质层。该方法还包括(i)在熔丝电介质层中形成开口，以便第一熔丝电极通过该开口暴露于周围环境，(ii)在该开口的侧壁和底壁上形成熔丝区域，以便将熔丝区域电耦合到第一熔丝电极，以及(iii)在所述形成熔丝区域之后，用电介质材料填充该开口。 | ||
| 申请公布号 | CN101256978A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810082602.0 | 申请日期 | 2008.02.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 许履尘;J·A·曼德尔曼;W·R·通蒂;杨智超 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/525(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种电熔丝制造方法，包括以下步骤：在衬底中形成第一电极；在所述第一电极之上形成电介质层；在所述电介质层中形成开口，以便所述第一电极通过所述开口暴露于周围环境；在所述开口的侧壁和底壁上形成熔丝元件，以便所述第一电极和所述熔丝元件电耦合在一起；以及用电介质材料填充所述开口。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||