| 发明名称 | 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法，其特点是将圆片籽晶的生长表面设计成曲面，并使晶面倾角θ为6°～10°。本发明的方法采用曲面作为籽晶的生长表面，实现了多层并行生长，晶体的生长速度加快，而且，这种多层并行生长有助于抑制籽晶中缺陷的延续和晶体生长过程中缺陷的增生。 | ||
| 申请公布号 | CN101255597A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200710188600.5 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 陈治明 |
| 分类号 | C30B23/02(2006.01);C30B29/36(2006.01) | 主分类号 | C30B23/02(2006.01) |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 罗笛 |
| 主权项 | 1.一种用曲面籽晶进行PVT晶体生长的方法，其特征在于，将圆片籽晶的生长表面设计成曲面，并使晶面倾角θ为6°～10°。 | ||
| 地址 | 710048陕西省西安市金花南路5号 | ||