包括可切换电阻器和晶体管的非易失性存储器单元

摘要

本发明教示一种可重写非易失性存储器单元，其包括串联的薄膜晶体管和可切换电阻器存储器元件。所述可切换电阻器元件当经受在第一方向上施加的设定电压量值时减小电阻，且当经受在与所述第一方向相反的第二方向上施加的重设电压量值时增加电阻。在优选实施例中，所述存储器单元形成于阵列中，优选为其中多个存储器层形成于单一衬底上的单片三维存储器阵列。在优选实施例中，薄膜晶体管和可切换电阻器存储器元件在电学上设置在平行的数据线与参考线之间。优选的是，垂直于所述数据线和参考线延伸的选择线控制所述晶体管。

主权项

1.一种非易失性存储器单元，其包括：可切换电阻器存储器元件；以及具有沟道区的薄膜晶体管，其中所述可切换电阻器存储器元件与所述薄膜晶体管串联设置，其中所述可切换电阻器存储器元件在设定电压量值被施加于所述电阻性存储器元件上时减小电阻，且其中所述可切换电阻器存储器元件在重设电压量值被施加于所述可切换电阻器存储器元件上时增加电阻，且其中所述设定电压量值的极性与所述重设电压量值的极性是相反的。