| 发明名称 | 高压MOS器件及其工艺实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压MOS器件及其工艺实现方法，在原有器件的源漏两端靠近沟道的位置加入埋入式氧化硅隔离层，并通过化学机械平面化(CMP)工艺形成拥有埋入式氧化硅隔离层的硅基板。本发明可以防止MOS器件源漏穿通，提高器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN100416857C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200510028404.2 | 申请日期 | 2005.08.03 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈晓波;伍宏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1. 一种高压MOS器件，其特征在于：在器件的源漏两端靠近沟道的位置加入埋入式氧化硅隔离层。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||