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发明名称
Resistivity changing memory cell having nanowire electrode
摘要
A memory cell includes a first electrode comprising a nanowire, a second electrode, and phase-change material between the first electrode and the second electrode.
申请公布号
US7420199(B2)
申请公布日期
2008.09.02
申请号
US20050182022
申请日期
2005.07.14
申请人
INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
GUTSCHE MARTIN ULRICH;SEIDL HARALD;KREUPL FRANZ
分类号
H01L29/02
主分类号
H01L29/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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