制造薄膜电晶体阵列的方法

摘要

本发明提供一种用于制造薄膜电晶体阵列之方法。所述方法包括：在基板上形成闸电极；形成堆叠结构，其中闸极绝缘层、半导体层以及导电层顺序地堆叠于具有闸电极之基板上；将导电层乾式蚀刻成未经划分为源电极以及汲电极之电极图案；以及蚀刻电极图案之通道区域以形成源电极以及汲电极，且同时蚀刻未被电极图案覆盖之图案区域之半导体层以暴露闸极绝缘层。