发明名称 具缓冲层的晶圆结构
摘要 本发明公开一种具缓冲层的晶圆结构,该晶圆结构包含:具有至少一焊垫的晶圆,晶圆上设有保护层(passivation),且暴露出该至少一焊垫,保护层及焊垫上设有缓冲层,缓冲层上设置有凸块下金属层(UBM,under bumpmetallurgy)。该缓冲层包含有一由铝材料制成的加厚的内缓冲层,其形成于凸块下金属层与焊垫之间,以增强晶圆在掉落试验(drop test)时的吸震能力,避免发生用以与基板接合的导电凸块掉落且脆裂的状况,并能加强导电凸块与凸块下金属层的接合能力。该缓冲层可以另外包含有一聚亚醯胺材料的外缓冲层,且该外缓冲层设置于该保护层上而部分地位于该凸块下金属层与该保护层之间。
申请公布号 CN101252106A 申请公布日期 2008.08.27
申请号 CN200810086110.9 申请日期 2008.03.11
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 黄泰源;陈知行
分类号 H01L23/485(2006.01) 主分类号 H01L23/485(2006.01)
代理机构 上海翼胜专利商标事务所 代理人 翟羽
主权项 1.一种具缓冲层的晶圆结构,包含:一晶圆、一保护层及一凸块下金属层,其中所述晶圆包含至少一焊垫;所述保护层设置于所述晶圆上,且暴露出所述焊垫;其特征在于:所述具缓冲层的晶圆结构还包含有一内缓冲层,所述内缓冲层设置于所述焊垫上;所述凸块下金属层设置于所述内缓冲层上。
地址 台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号