| 发明名称 | 薄膜电阻器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 集成电路(10)的一个实施例包括衬底(12)和在衬底上形成的SiWNi薄膜电阻器(16)。 | ||
| 申请公布号 | CN101253631A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200680027467.9 | 申请日期 | 2006.07.25 |
| 申请人 | 特里奎恩特半导体公司 | 发明人 | 法比安·勒杜列斯库 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01) | 主分类号 | H01L29/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种集成电路(10)，包括：衬底(12)；和在所述衬底上形成的SiWNi薄膜电阻器(16)。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||