发明名称 |
热电直接变换装置 |
摘要 |
一种热电直接变换装置,其形成有多个热电直接变换半导体对,其中每个热电直接变换半导体对包括一个p型半导体和一个n型半导体;多个高温电极和多个低温电极,其中每个高温电极和低温电极电连接所述p型半导体和所述n型半导体;高温绝缘板和低温绝缘板,其中每个高温绝缘板和低温绝缘板分别通过所述多个高温电极或所述多个低温电极与所述多个热电直接变换半导体对热连接;至少一个扩散阻挡层,其位于所述高温电极或低温电极与所述热电直接变换半导体对之间,且整个装置气密密封在含有真空或惰性气体气氛的气密壳内,从而防止了电极与半导体对之间的扩散,以提供一种在长时间内表现出优异的发电性能的热电变换装置。 |
申请公布号 |
CN100414731C |
申请公布日期 |
2008.08.27 |
申请号 |
CN200510118608.5 |
申请日期 |
2005.10.31 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
常冈治;近藤成仁;岩抚直和;原昭浩;馆山和树 |
分类号 |
H01L35/00(2006.01);H01L35/28(2006.01);H01L35/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L35/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王永建 |
主权项 |
1. 一种热电直接变换装置,其包括:多个热电直接变换半导体对,其中每个热电直接变换半导体对包括一个p型半导体和一个n型半导体;多个高温电极,其中每个高温电极在每个热电直接变换半导体对的高温侧电连接所述p型半导体和所述n型半导体;高温绝缘板,其通过所述多个高温电极与所述多个热电直接变换半导体对热连接;多个低温电极,其中每个低温电极在每个单独热电直接变换半导体对的低温侧电连接所述p型半导体和所述n型半导体;低温绝缘板,其通过所述多个低温电极与所述多个热电直接变换半导体对热连接;扩散阻挡层,其位于所述高温电极和所述低温电极中的至少一个与每个热电直接变换半导体对的p型半导体和n型半导体中的至少一个之间;以及气密壳,其通过包括一个金属盖和一个金属框架或者一个所述金属盖和所述金属框架的集成元件以及所述低温绝缘板而形成;其中所述金属盖被布置成覆盖所述高温绝缘板,所述金属框架被布置成包围包括所述多个热电直接变换半导体对、所述多个高温电极和所述多个低温电极在内的部件,并且所述气密壳被形成为将所述多个热电直接变换半导体对与环境大气隔离并将其内部置于真空或惰性气体中。 |
地址 |
日本东京都 |