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Eine Halbleitertransistorvorrichtung (100) umfasst, einen Gate-Isolator (112), eine Gate-Elektrode (113), eine Source (115, 116) und eine Drain (117). Die Driftregion umfasst einen ersten lateralen Abschnitt (107) mit einer ersten Dotandenkonzentration und einen zweiten lateralen Abschnitt (108) mit einer zweiten Dotandenkonzentration, die höher als die des ersten lateralen Abschnitts (107) ist. Die isolierende Struktur (110) ist an der Driftregion gebildet und ist über einer Grenze (107a) zwischen dem ersten und dem zweiten lateralen Abschnitt (107, 108) angeordnet, derart, dass eine Locherzeugung in der Driftregion während eines Betriebs minimiert ist.
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