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Die Erfindung beschreibt eine Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben, wobei die Halbleiteranordnung mit einer auf einem Substrat (1) angeordneten integrierten Schaltung (2) versehen ist, wobei die integrierte Schaltung (2) auf der Vorderseite des Substrats strukturiert ist und mindestens ein Kondensator (20) mit der integrierten Schaltung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Kondensator auf der Rückseite des Substrats (1) als monolithische Tiefenstruktur mit mindestens einem Graben (3) ausgebildet ist.
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