多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法

摘要

一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。

主权项

1、一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法，其特征在于该方法包括：第一、将清洗干净并干燥的衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；第二、待真空镀膜系统内的气压降到3.0×10-3Pa以下，将衬底均匀加热至200-600℃之间，并保持这一衬底温度；第三、同时打开铟源、镓源、锑源蒸发源的加热电源，分别控制锑源、镓源和铟源的蒸发温度，在锑源蒸发温度300-500℃的设定基础上，调节镓源蒸发温度400-1200℃和铟蒸发源温度500-1300℃，使其对应于不同的镓源和铟源蒸发速率；待蒸发源温度恒定后，进行铟镓锑多晶薄膜的共蒸发或分步蒸发，当材料为锑化镓时，材料的禁带宽度为0.72eV，当材料为锑化铟时，材料的禁带宽度为0.18eV，调节镓源和铟源的不同蒸发温度，得到不同镓含量的铟镓锑类多晶薄膜，从而调节薄膜材料的禁带宽度在0.18eV至0.72eV之间。