温控离子植入技术

摘要

本发明揭露温控离子植入技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可实现为一种温控离子植入装置。所述装置可包含至少一热感测器，其用以量测在离子植入制程期间离子植入器之末端台内的晶圆之温度。所述装置亦可包含耦接至所述末端台之热调节单元。所述装置更可包含与所述热感测器及所述热调节单元通信之控制器，其中所述控制器比较量测温度与所要晶圆温度，且使所述热调节单元基于所述比较调整所述晶圆之温度。