发明名称 PROCEDIMIENTO DE FORMACION DE AGUJEROS CIEGOS ACHAFLANADOS EN AGUJAS QUIRURGICAS QUE UTILIZAN UN LASER DE ND:YAG BOMBEADO POR DIODO.
摘要 Un procedimiento de perforación y formación de agujeros ciegos en agujas quirúrgicas (400) utilizando un láser, comprendiendo el procedimiento las etapas de: la constitución de un sistema de perforación (510) por un láser de Nd-YAG pulsado por diodo; la constitución de una aguja quirúrgica (400) que tiene un extremo proximal (420), un extremo distal (412), y una cara terminal proximal (421): la producción de un haz de impulsos láser (360; 540) que tenga la suficiente potencia para perforar de forma efectiva un agujero de calibre ciego (430) en el extremo proximal (420) de la aguja quirúrgica a través de la cara terminal proximal (421); y la dirección del haz de impulsos láser (360; 540) sobre la cara terminal proximal (421) del extremo proximal de la aguja quirúrgica para producir un agujero de calibre ciego (430); caracterizado porque el procedimiento comprende: la producción de un primer haz de impulsos láser (540) que tiene la suficiente potencia para perforar de forma efectiva una cavidad de chaflán (440) en el extremo proximal (420) de la aguja quirúrgica (400) a través de la cara terminal proximal (421); la dirección del primer haz de impulsos láser (540) sobre la cara terminal proximal (421) del extremo proximal de una aguja quirúrgica para producir una cavidad de chaflán (440) que tiene un fondo distal (446); la producción de un segundo haz de impulsos láser (540) que tiene la suficiente potencia para perforar de manera efectiva un agujero de calibre ciego (450) en el extremo proximal (420) de la aguja quirúrgica (400); y la dirección del segundo haz de impulsos láser (540) sobre el fondo distal (446) de la cavidad de chaflán (440), para producir un agujero de calibre ciego (450) que tiene un fondo distal (456), en el que dicho agujero de calibre ciego (450) está en comunicación con la cavidad de chaflán (440), en el que el primer haz (540) tiene una potencia que oscila de entre aproximadamente 0,45 kilovatios y aproximadamente 2,5 kilovatios y una anchura de impulso de entre aproximadamente 5 microsegundos y aproximadamente 10 microsegundos; en el que el segundo haz (540) tiene una potencia que oscila entre aproximadamente 0,58 kilovatios y aproximadamente 3,2 kilovatios y una anchura de impulso que oscila entre aproximadamente 5 microsegundos y aproximadamente 20 microsegundos; en el que la frecuencia del primer haz (540) oscila entre aproximadamente 1 kHz y aproximadamente 20 kHz y la frecuencia del segundo haz (540) oscila entre aproximadamente 1 kHz y aproximadamente 30 kHz; y en el que la cantidad de energía suministrada por el primer haz de impulsos láser (540) es inferior a la cantidad de la energía suministrada por el segundo haz de impulsos láser (540), en el cual la energía se basa en la anchura de impulso, la duración de impulso y la potencia de cada haz.
申请公布号 ES2303579(T3) 申请公布日期 2008.08.16
申请号 ES20030255516T 申请日期 2003.09.04
申请人 ETHICON, INC. 发明人 MOSAVI, REZA K.
分类号 B23K26/38;A61B17/06;B23K26/00 主分类号 B23K26/38
代理机构 代理人
主权项
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