| 发明名称 | 改善原子层沉积工艺的方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种改善原子层沉积工艺的装置及方法，先于一反应室中通入惰性气体而形成一屏蔽罩，以将反应室分隔成一第一次反应室与一第二次反应室。接着分别导入一第一前驱气体与一第二前驱气体于第一次反应室与第二次反应室中，并送入一晶片至第一次反应室内。当此晶片表面所吸附的第一前驱气体达饱和状态后，即旋转一轴承而使晶片移动至第二次反应室内与第二前驱气体反应。其中，上述的屏蔽罩可用来移除晶片上未反应的第一前驱气体与第二前驱气体。然后再送入另一晶片至第一次反应室，以同时处理多个晶片而提高工艺的生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN100411117C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200410077066.7 | 申请日期 | 2004.09.10 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 邱文斌 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/4763(2006.01);C23C14/22(2006.01);C23C14/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1. 一种改善原子层沉积工艺的方法，至少包括：于一反应室中通入惰性气体来形成至少一屏蔽罩，其中该屏蔽罩将该反应室分隔成至少一第一次反应室与至少一第二次反应室；将一第一前驱气体导入至该第一次反应室；将一第二前驱气体导入至该第二次反应室；将一晶片送入至该第一次反应室；以及将该晶片移动至该第二次反应室。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园 | ||