| 发明名称 | 等离子体反应室用硅部件 | ||
| 摘要 | 提供半导体加工设备的硅部件，所述硅部件包含低浓度的在硅中的移动性高的金属杂质。硅部件包括，例如圆环、电极和电极组合件。硅部件可减少在等离子体气氛中加工的晶片的金属污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101241845A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810083894.X | 申请日期 | 2003.03.21 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | 任大星;杰罗姆·S·休贝塞克;尼古拉斯·E·韦伯 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01J37/32(2006.01);H01H1/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1、一种半导体加工设备的硅电极，所述硅电极包含包括暴露于等离子体的切割面的硅板，其中在硅板的切割面上，选自铜、锌、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍和碱金属的至少一种元素的浓度小于约100×1010 原子/平方厘米。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||