发明名称 半导体器件的制造方法
摘要 本发明的一个目的是提供一种不损伤剥离层以进行不仅剥离具有小尺寸区域的剥离层而且剥离具有大尺寸区域的整个剥离层、具有较好的成品率的剥离方法。在本发明中,在粘贴固定基板后,通过划线或在玻璃基板上进行其引起提供了触发的激光照射来移除一部分玻璃基板。然后,通过从移除了的部分进行剥离,实现具有较好的成品率的剥离。另外,除了端子电极的连接部分(包括端子电极的外围区域)之外,通过用树脂覆盖整个表面来防止破裂。
申请公布号 CN100411089C 申请公布日期 2008.08.13
申请号 CN200410103896.2 申请日期 2004.10.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 後藤裕吾;福本由美子;高山彻;丸山纯矢;鹤目卓也
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/762(2006.01);G02F1/136(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 张政权
主权项 1. 一种半导体器件的制造方法,包括如下步骤:在第一基板之上形成包含元件的剥离层;在包含元件的该剥离层之上涂覆能够溶解于溶剂中的有机树脂膜;在该有机树脂膜之上粘贴第一两面带;切割并移除一部分第一基板;将第二基板粘贴到该第一两面带;在该第一基板之下通过第二两面带将第三基板粘贴到第一基板;进行剥离以从该剥离层分离该第一基板、该第二两面带和该第三基板;用粘接材料将第四基板与该剥离层粘贴。
地址 日本神奈川县