GaAs semiconductor substrate and semiconductor device

摘要

Bei einem Halbleitersubstrat (1) aus GaAs mit einer darauf aufgebrachten Halbleiterschichtenfolge (2) enthält die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Mehrzahl von Halbleiterschichten (3, 4, 5, 6, 7) aus Al1-yGayAs1-xPx mit 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1, wobei der Phosphoranteil x in mehreren der Halbleiterschichten jeweils größer als in einer benachbarten, in Wachstumsrichtung darunter liegenden Halbleiterschicht ist. Ein derartiges Halbleitersubstrat kann vorteilhaft als Quasisubstrat (8) zum Aufwachsen von weiteren Halbleiterschichten (28), die eine kleinere Gitterkonstante als GaAs aufweisen, verwendet werden.