| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路(1)，包括衬底电压控制电路(10A)、漏极电流调节器(E1)、MOS器件特性检测电路(20)和漏极电流补偿器(E2)。衬底电压控制电路(10A)至少具有一个用于控制半导体集成电路(1)的衬底电压供给的衬底电压供给MOS器件(m1)。漏极电流调节器(E1)通过控制衬底电压供给MOS器件(m1)的衬底电压，来调节衬底电压供给MOS器件(m1)的漏极电流。MOS器件特性检测电路(20)具有用于检测衬底电压供给MOS器件(m1)的特性的特性检测器件(m2)。漏极电流补偿器(E2)通过根据MOS器件特性检测电路(20)所检测的衬底电压供给MOS器件(m1)的特性，控制衬底电压供给MOS器件(m1)的衬底电压，来校正衬底电压供给MOS器件(m1)的漏极电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101238641A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200680028484.4 | 申请日期 | 2006.07.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 炭田昌哉 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01);H03K19/00(2006.01) | 主分类号 | H03K17/687(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陆弋;王诚华 |
| 主权项 | 1、一种半导体集成电路，包括：至少包括用于供给衬底电压的MOS元件的衬底电压控制电路，用于控制所述半导体集成电路的衬底电压的供给；漏极电流设定器，用于通过控制所述用于供给衬底电压的MOS元件的衬底电压，来调节所述用于供给衬底电压的MOS元件的漏极电流；包括特性检测元件的MOS元件特性检测电路，用于检测所述用于供给衬底电压的MOS元件的特性；和漏极电流校正器，用于通过根据所述MOS元件特性检测电路所检测的所述用于供给衬底电压的MOS元件的特性，控制所述用于供给衬底电压的MOS元件的衬底电压，来校正所述用于供给衬底电压的MOS元件的漏极电流。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||