发明名称 |
制备n-型半导体金刚石的方法及n-型半导体金刚石 |
摘要 |
本发明制备n-型半导体金刚石的方法的特征在于,通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子,使得其中含有10ppm的Li离子,来制备结合有Li和N的金刚石,或者,在用LI和N离子掺杂单晶金刚石的过程中,注入离子,使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠,来制备结合有Li和N的金刚石,然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石,以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中,n-型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N,其中其薄层电阻为10<SUP>7</SUP>Ω/□或更低。 |
申请公布号 |
CN100409408C |
申请公布日期 |
2008.08.06 |
申请号 |
CN200380100646.7 |
申请日期 |
2003.12.22 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
难波晓彦;山本喜之;角谷均;西林良树;今井贵浩 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01);C30B29/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
程金山 |
主权项 |
1. 一种制备n-型半导体金刚石的方法,其特征在于,具有以下步骤:向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子、使得其中含有10ppm的Li离子,来制备结合有Li和N的金刚石的步骤,和在800℃至低于1800℃范围内的温度,在3GPa至8GPa的压力条件下退火所述结合有Li和N的金刚石的步骤。 |
地址 |
日本大阪府 |