| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法以及操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种非易失性存储器及其制造方法以及操作方法。该非易失性存储器的制造方法是先于基底形成堆叠结构，此堆叠结构包括下层的栅极介电层与位于栅极介电层上方的控制栅极。然后，于堆叠结构的顶部、侧壁与裸露的基底上，分别形成第一介电层、第二介电层与第三介电层。之后，于堆叠结构的顶部及侧壁覆盖电荷储存层，并且于电荷储存层两侧的基底上形成一对辅助栅极，其中各个辅助栅极与电荷储存层之间相距一间隙。 | ||
| 申请公布号 | CN100409428C | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200510067913.6 | 申请日期 | 2005.04.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭明昌;吴昭谊 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L27/105(2006.01);G11C11/34(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1. 一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：于一基底形成一堆叠结构，该堆叠结构包括下层的一栅极介电层与位于该栅极介电层上方的一控制栅极；于该堆叠结构的顶部、侧壁与裸露的该基底上，分别形成一第一介电层、一第二介电层与一第三介电层；以及于该堆叠结构的顶部及侧壁覆盖一电荷储存层，并且于该电荷储存层两侧的该基底上形成一对辅助栅极，且所述辅助栅极与该电荷储存层之间相距一间隙。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||