发明名称 形成非挥发性记忆体装置的方法
摘要 一种形成非挥发性记忆体装置的方法,其包括形成第一罩幕图案,其间具有较大的距离。形成顺应性地覆盖第一罩幕图案的距离调节层。第二罩幕图案形成于第一罩幕图案之间的距离调节层上的沟槽内。
申请公布号 TW200832623 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096150334 申请日期 2007.12.26
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 沈载煌;任庸植;金奇南;朴载宽
分类号 H01L21/8247(2006.01) 主分类号 H01L21/8247(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国