功率ＭＯＳＦＥＴ的晶片级晶片规模封装

摘要

本发明公开了一种功率MOSFET的晶片级晶片规模封装方法，该方法包括：化学镀晶片背面以及晶片正面上的多个接触区，和在将晶片切割成多个功率MOSFET晶片之前在经镀覆的多个接触区上形成焊球的步骤。在可替代的实施例中，该方法包括：在晶片背面设置永久保护层，化学镀晶片正面的多个接触区，和在将晶片切割成多个功率MOSFET晶片之前在经镀覆的多个接触区上形成焊球的步骤。