薄膜电晶体及半导体元件的制作方法

摘要

一种薄膜电晶体的制作方法。首先，于基板上形成图案化多晶矽层与将其覆盖的闸极介电层。于闸极介电层上依序形成第一、第二闸极材料层及牺牲层。于牺牲层上形成图案化光阻层。以图案化光阻层为罩幕，对牺牲层进行等向性蚀刻而形成图案化牺牲层，且对第一、第二闸极材料层进行非等向性蚀刻，及对图案化多晶矽层进行掺杂以形成源极/汲极区。在移除图案化光阻层之后，以图案化牺牲层为罩幕，对剩余的第一、第二闸极材料层进行非等向性蚀刻，并再对图案化多晶矽层进行掺杂以形成浅掺杂源极/汲极区。之后，移除图案化牺牲层。此方法可减少光罩的使用数量。