| 发明名称 | 高密度相变存储器的结构与制备的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及到相变存储芯片(PCRAM)的高密度相变存储单元结构、三维电路设计布局与制造工艺流程。本发明为了实现PCRAM芯片存储阵列的高密度，通过三维立体布局设计，把基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的外围电路放在存储阵列的下面，上述外围电路晶片通过CMP(化学机械抛光)工艺实现平坦化。对P型或N型硅片进行外延技术形成N/P(或P/N)结，通过对准装置实现该硅片与上述CMOS硅片的低温键合，通过晶片剥离技术或背面减薄的技术实现CMOS片上的整片N/P(或P/N)结，接着在其之上制备可逆相变电阻，之后采用Cu互联，最后通过常规的封装技术实现整个芯片；从而整体实现三维立体1R1D芯片结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101232038A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200810033926.5 | 申请日期 | 2008.02.26 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 宋志棠;刘波;宝民;丁晟;刘卫丽;封松林 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1.一种高密度相变存储器的结构，包括行译码器、列译码器、字线、位线、驱动电路和灵敏放大器，逻辑控制电路，其特征在于所述的相变存储芯片基于三维芯片结构，上层为存储阵列，存储阵列之下方为外围控制电路；外围控制电路产生的控制信号，通过字线、通孔和位线的互连线，定位控制某一存储单元。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||