发明名称 |
一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法 |
摘要 |
一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法,属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前,先在基片上制备一层Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>缓冲层薄膜,在对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理时,利用Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>缓冲层发生从Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>到Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>活性相变所释放的热量促进尖晶石结构铁氧体薄膜的结晶,从而降低尖晶石结构铁氧体薄膜的退火晶化处理温度,使之与现代微电子工艺相兼容;同时,Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>缓冲层属尖晶石结构氧化物薄膜,与尖晶石结构铁氧体薄膜晶格匹配,从而使得Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>缓冲层的引入不影响尖晶石结构铁氧体薄膜良好的电磁特性。本发明可用于制备集成磁性器件。 |
申请公布号 |
CN101230446A |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN200710050348.1 |
申请日期 |
2007.10.30 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
钟智勇;张怀武;荆玉兰;刘爽;唐晓莉;苏桦;贾利军;金沈贤 |
分类号 |
C23C14/22(2006.01);C23C14/58(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/22(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法,通过如下步骤实现:步骤1.在基片上制备Fe3O4缓冲层薄膜;步骤2.在Fe3O4缓冲层薄膜上溅射尖晶石结构铁氧体薄膜;步骤3.对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理;其中,所述步骤3.的退火晶化处理条件为:退火环境为空气环境,退火温度为400-500℃,退火时间为0.5-3小时。 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |