发明名称 |
液晶显示器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种液晶显示器件及其简化制造工艺的制造方法。该液晶显示器件包括:第一和第二基板;在第一基板上的栅线;在第一基板上的栅绝缘膜;与栅线交叉以限定像素区的数据线;位于像素区的像素孔;在像素区的像素孔中位于栅绝缘膜上由透明导电层形成的像素电极;包括栅极、源极、漏极和半导体层的薄膜晶体管,该半导体层具有有源层和形成为暴露所述有源层一部分的欧姆接触层;以及通过氧化所述暴露的有源层而形成的氧化的表面层,其中半导体层与包括数据线、源极和漏极的源/漏金属图案重叠;所述漏极从半导体层向像素电极的上部突出,并且该漏极连接到像素电极;以及将与透明导电层重叠部分的半导体层去除。 |
申请公布号 |
CN100407027C |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN200510080180.X |
申请日期 |
2005.06.30 |
申请人 |
乐金显示有限公司 |
发明人 |
安炳喆;林柄昊;安宰俊 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);G09F9/35(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国;祁建国 |
主权项 |
1.一种液晶显示器件,包括:第一和第二基板;在第一基板上的栅线;在第一基板上的栅绝缘膜;与栅线交叉以限定像素区的数据线;位于像素区的像素孔;在像素区的像素孔中的栅绝缘膜上由透明导电层形成的像素电极;包括栅极、源极、漏极和半导体层的薄膜晶体管,该半导体层具有有源层和形成为暴露所述有源层一部分的欧姆接触层;以及通过氧化所述暴露的有源层而形成的氧化的表面层;其中半导体层与包括数据线、源极和漏极的源/漏金属图案重叠;其中漏极从半导体层向像素电极的上部突出,并且漏极连接到像素电极;以及其中将与透明导电层重叠的部分半导体层去除。 |
地址 |
韩国首尔 |