制造CMOS图像传感器的方法

摘要

公开了一种制造CMOS图像传感器的方法，通过该方法通过避免干蚀刻光电二极管表面来使暗电流最小化，以及通过该方法可以降低单元像素中的读出电路单元的接触电阻和接触电阻的变化。本发明包括在被分开成光电二极管区域和晶体管区域的第一传导类型半导体衬底上形成绝缘层的步骤，在晶体管区域的栅电极形成区域上移除绝缘层，在半导体衬底的栅电极形成区域上形成栅绝缘层，在半导体衬底之上形成传导层，通过平坦化传导层来形成栅电极以暴露绝缘层的表面，选择性地移除绝缘层以暴露半导体衬底，在被暴露的半导体衬底中形成第二传导类型轻掺杂区，在栅电极的侧壁上形成间隔物，完全移除绝缘层，以及通过使用掩模的离子植入来在半导体衬底的晶体管区域上形成第二传导类型重掺杂区。

主权项

1.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括步骤：在分成光电二极管区域和晶体管区域的第一传导型半导体衬底上形成绝缘层；在晶体管区域的栅电极形成区域上移除绝缘层；在半导体衬底的栅电极形成区域上形成栅绝缘层；在半导体衬底之上形成传导层；通过平坦化传导层以暴露绝缘层的表面来形成栅电极；选择性地移除绝缘层以暴露半导体衬底；在暴露的半导体衬底中形成第二传导型轻掺杂区；在栅电极的侧壁上形成间隔物；完全移除绝缘层；以及通过使用掩模的离子植入，在半导体衬底的晶体管区域上形成第二传导型重掺杂区；其中在选择性地移除绝缘层的步骤中，晶体管区域上的绝缘层被选择性地移除。