| 发明名称 | 清洗CVD腔室的热F<SUB>2</SUB>蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本说明书中公开了一种使用预稀释的氟气的热活化源对半导体加工腔室中不希望有的氮化硅的设备表面进行热清洗的方法。该方法包括：(a)使在惰性气体中预稀释的氟气流过所述腔室；(b)使所述腔室保持在230℃－565℃的升高的温度下以热离解氟气；(c)通过(b)中热解离的氟气与不希望有的氮化硅之间的化学反应生成挥发性反应产物，从表面清除不希望有的氮化硅；(d)从所述腔室中去除挥发性反应产物。 | ||
| 申请公布号 | CN101225511A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710093278.8 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | A·D·约翰逊;P·J·马劳利斯;V·沃萨;R·G·里奇韦 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 庞立志;韦欣华 |
| 主权项 | 1.一种使用预稀释的氟气对半导体加工腔室中不希望有的氮化硅的设备表面热清洗的方法，包括：(a)使在惰性气体中预稀释的氟气流过所述腔室；(b)使所述腔室保持在230℃-565℃的升高的温度下以热离解氟气；(c)通过(b)中热解离的氟气与不希望有的氮化硅之间的化学反应生成挥发性反应产物，从表面清除不希望有的氮化硅；(d)从所述腔室中去除挥发性反应产物。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||