发明名称 铝合金减摩层软锡相颗粒更细的PVD轴瓦磁控溅射工艺
摘要 本发明公开了一种铝合金减摩层软锡相颗粒更细的PVD轴瓦磁控溅射工艺,包括溅前处理、轴瓦装入夹具、抽真空、溅射镍栅层、溅射铝合金减摩层、检查尺寸及外观、以及后续处理,其关键在于:所述溅射铝合金减摩层的工艺条件:先制备铝合金靶材,该铝合金靶材中纯锡重量百分含量16%~25%;纯铜重量百分含量0.3%~3%;纯铝重量百分含量83.7%~72%;PVD轴瓦基体与铝合金靶材之间的距离为60~120mm;溅射铝合金(AlSnCu)减摩层溅射舱内温度为40~98℃;工作气体氩气分压为0.1~1.2Pa的范围内;对PVD轴瓦基体通电,PVD轴瓦基体负偏压为-100~-160V。本发明生产的轴瓦铝合金减摩层内弥散的软锡相颗粒的平均直径小于2.5um,提高了PVD轴瓦在运行过程中的顺应性和磨合性。
申请公布号 CN101215688A 申请公布日期 2008.07.09
申请号 CN200710093219.0 申请日期 2007.12.27
申请人 重庆跃进机械厂 发明人 冀庆康;周荣康;吴文俊;刘太贵
分类号 C23C14/35(2006.01);C23C14/16(2006.01);C23C14/54(2006.01) 主分类号 C23C14/35(2006.01)
代理机构 重庆市前沿专利事务所 代理人 郭云
主权项 1.一种铝合金减摩层软锡相颗粒更细的PVD轴瓦磁控溅射工艺,包括溅前处理、轴瓦装入溅射舱内夹具上、溅射舱抽真空、溅射镍栅层(4)、溅射铝合金减摩层(6)、检查尺寸及外观、以及后续处理,其特征在于:所述溅射铝合金减摩层(6)的工艺条件:先制备铝合金靶材,该铝合金靶材中纯锡重量百分含量16%~25%;纯铜重量百分含量0.3%~3%;纯铝重量百分含量83.7%~72%;PVD轴瓦基体与铝合金靶材之间的距离为60~120mm;再溅射铝合金(AlSnCu)减摩层,溅射舱内温度为40~98℃;工作气体氩气分压为0.1~1.2Pa的范围内;对PVD轴瓦基体通电,PVD轴瓦基体负偏压为-100~-160V。
地址 402160重庆市永川区化工路1号