| 发明名称 | 包括具有受限电流密度的氧化钒传感器元件的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层互连层，形成在所述半导体衬底上；逻辑电路，形成在所述半导体衬底和所述多层互连层中；绝缘层，形成在所述多层互连层上；以及由氧化钒制成的至少一个传感器元件，形成在所述绝缘层上，其中所述传感器元件的电阻根据所述器件的环境温度或根据从所述器件中产生的热量而变化，以及对所述传感器元件进行设计，从而使流过所述传感器元件的电流密度处于0到100μA/μm<SUP>2</SUP>之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100401472C | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200510073776.7 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 大洼宏明;中柴康隆 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01);H01L29/00(2006.01);G01K7/20(2006.01);G01K7/16(2006.01);G01J1/02(2006.01);H01L27/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层互连层，形成在所述半导体衬底上；逻辑电路，形成在所述半导体衬底和所述多层互连层中；绝缘层，形成在所述多层互连层上；以及由氧化钒制成的至少一个传感器元件，形成在所述绝缘层上，其中所述传感器元件的电阻根据所述器件的环境温度或根据从所述器件中产生的热量而变化，以及对所述传感器元件进行设计，从而使流过所述传感器元件的电流密度处于0到100μA/μm2之间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||