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Die Erfindung betrifft polierte Glassubstrate, die sich für die Lithographie im extremen Ultraviolett eignen. Die Elemente sind Elemente aus Siliciumdioxid-Titandioxid-Glas mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 0 ± 30 x 10<SUP>-9</SUP>/°C oder weniger und einem Titandioxidgehalt von 5 bis 10 Gew.-%. Die polierten Elemente weisen eine Rautiefe von < 10 nm im mittleren Ortsfrequenzbereich und eine mittlere Rauheit von < 0,20 nm im oberen Ortsfrequenzbereich auf. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen optischer Elemente, die sich für die Lithographie im extremen Ultraviolett ("EUVL") eignen, wobei das Verfahren mindestens folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Glassubstrats in Form des gewünschten optischen Elements und Polieren des geformten Substrats unter Verwendung einer hohen Durchflussrate einer Schleifmittelaufschlämmung von > 2,0 ml/cm<SUP>2</SUP>/min. Im Allgemeinen liegen die Durchflussraten im substrate, die sich für die Lithographie im extremen Ultraviolett eignen, weisen einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 0 ± 30 x 10<SUP>-9</SUP>/°C oder darunter auf. Ein konkretes Glas, das sich für EUVL eignet, ist Siliciumdioxid-Titandioxid-Glas, das 5 bis 10 Gew.-% Titandioxid enthält. |
