| 发明名称 | 用以在半导体器件中形成氧化膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用以在半导体器件中形成氧化膜的方法。依据本发明，在形成一氧化膜之后，可经由一高温热处理工序及一预处理热工序减少界面陷阱电荷及氧化物陷阱电荷。此外，由于形成了一具有减少的陷阱电荷的氧化膜时，改善了器件的可靠性并防止了阈值电压的变动。 | ||
| 申请公布号 | CN100399519C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200510003881.3 | 申请日期 | 2005.01.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 申承佑 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用以在半导体器件中形成氧化膜的方法，其包括下列步骤：提供一硅衬底，从所述硅衬底剥离天然氧化膜；通过在第一温度实施一氧化工序在该硅衬底上形成一氧化膜；在比所述第一温度高的第二温度在一惰性气体气氛下进行预处理热工序；以及在比所述第二温度高的第三温度在一惰性气体与氧气混合的气氛下实施热处理工序。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||